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元件参数资料
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参数目录33637
> PBSS4220V,115 TRANS NPN 20V 2A LOW SAT SOT666
型号:
PBSS4220V,115
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
TRANS NPN 20V 2A LOW SAT SOT666
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
PBSS4220V,115 PDF
特色产品
NXP - I2C Interface
标准包装
4,000
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
20V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
350mV @ 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大)
100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
200 @ 1A,2V
功率 - 最大
900mW
频率 - 转换
210MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563,SOT-666
供应商设备封装
SOT-666
包装
带卷 (TR)
其它名称
568-7294-2
934059259115
PBSS4220V T/R
PBSS4220V T/R-ND
PBSS4220V,115-ND
查看PBSS4220V,115代理商
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